导纳谱仪是探测研究半导体深能级缺陷的手段，主要用来分析半导体内多数载流子量子阱的能级以及浓度。导纳谱的测量温度范围一般从 100K 到 300K. 采用液氮作为冷源将样品冷却到其沸点 77K 附近，然后令其自 然缓慢升温，同时进行电容和电导的测量，数据由计算机时事记录.。如需测量更低温度，可采用沸点为4K的液氦作为冷源。该仪器主要由以下部分构成：实验测量系统主要由 LCR 表、低温腔/样品架，杜瓦瓶，热电偶温度系统、 GPIB 连接控制系统和计算机组成。